CMP制程工艺材料

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP)是全球公认的唯一可以实现全局平坦化的技术，集成电路制造中晶圆的CMP制程主要有抛光垫（Pad)、抛光液（Slurry)、清洗液（Chemical）三大核心材料。 鼎龙股份成功开发出自主知识产权的CMP制程三大核心材料制备关键技术，量产并导入国内几乎所有晶圆产线，并逐步进入第三代半导体及大硅片产线，实现了CMP制程工艺材料“一体化”、“定制化”、“高适配”、“全制程”的国产化。

半导体先进封装材料

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。作为芯片制造中关键的一环，芯片封装技术也会对最终产品的性能产生影响。高端先进封装材料是打破摩尔定律瓶颈的关键所在。目前,鼎龙股份布局的先进封装材料主要包括临时键合材料、封装光刻材料。

高端KrF/ArF晶圆光刻胶材料

晶圆光刻胶是半导体光刻制程中最关键的核心材料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到晶圆（Wafer）上。光刻胶本身的性能直接决定了最终能在Wafer上形成的最小线宽和图形的精度、保真度，随着芯片制程节点不断宽缩小，光刻胶开发技术难度大幅增加，是延续摩尔定律的关键之一。

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