清洗液

用于集成电路制造中，金属铜后清洗的碱性配方型清洗液，能有效去除表面颗粒、有机物及金属污染物，并兼具铜保护功能，已在存储器件与逻辑器件量产中使用。

产品清洗效果优异，安全性能高，Q-time较高，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中，金属铜及金属钨CMP后清洗的酸性配方型清洗液，应用覆盖多个工艺节点，能有效去除表面颗粒、有机物及金属污染物。

产品清洗效果优异，安全性能高，对铜的腐蚀速率低

用于集成电路制造中，金属钨和氮化硅CMP后清洗的配方型清洗液，在涉及多重材料界面的CMP后清洗工艺中具有良好的清洁表现。产品已在逻辑器件量产中使用。

产品对W、SiN、TEOS、TiN和Co等多种材料具有良好的兼容性及清洗效果

用于集成电路制造中，金属钨清除沾污的酸性配方型清洗液，旨在针对抛光垫表面清洁，用于降低金属栅极工艺的沾污程度。

产品对W、SiN、Co、Al、Ti、TiN具有极低的腐蚀速率及良好的清洗效果

用于集成电路制造中，金属钨CMP后清洗的弱酸型清洗液，主要用于金属栅极清洗，已在逻辑器件量产中使用。

产品在W和TEOS表面拥有很好的清洗性能，同时对W、SiN、TEOS、TiN以及Co拥有良好的材料兼容性。

用于集成电路制造中，金属铝CMP后清洗的酸性清洗液，具有良好的清洁表现及极低的缺陷率，已在逻辑器件量产中使用。

产品清洗效果优异，与Al、TEOS等多种材料兼容性佳，对铝的腐蚀速率较低。

用于集成电路制造中，多晶硅和氮化硅 CMP后清洗的配方型清洗液，应用于抛光垫表面，能有效去除表面颗粒污染物，已在逻辑器件量产中使用。

产品兼容Poly-Si、SiN和TEOS，可以适用于STI、ILD、ILD0以及Poly等制程的辅助清洗