封装光刻胶

抛光垫

高硬度系列产品，具备高平坦化效率、高研磨去除率和长使用寿命等优点

抛光液

用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除和平坦化，具有高多晶硅去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。

清洗液

研磨粒子

纳米高纯硅研磨粒子是抛光液最主要的组成部分，在抛光过程中通过微切削、滚压等方式作用于被加工材料表面，达到机械去除材料的作用。纳米高纯硅是以水玻璃为原材料制备的硅溶胶研磨粒子。鼎龙自主开发了具有纯度高、粒径分布窄、去除效率高的纳米高纯硅研磨粒子，实现了抛光液核心原材料自主可控。

封装光刻胶

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。作为芯片制造中关键的一环,芯片封装技术也会对最终产品的性能产生影响。高端先进封装材料是打破摩尔定律瓶颈的关键所在。目前,鼎龙布局的先进封装材料主要包括临时键合材料、封装光刻材料。

临时键合胶

柔显DT系列键合胶，为一种特定的起到临时黏接作用的中间层有机黏接材料，可将晶圆和晶圆载板临时黏接在一起，有效防止超薄晶圆在加工过程中由于机械和热应力等因素产生翘曲或断裂，同时具备良好的解键合和易清洗能力

晶圆光刻胶

晶圆光刻胶是半导体光刻制程中最关键的核心材料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩小、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增加，成为延续摩尔定律的关键技之一。

YPI

粘度4000cP~7000cP；固含量10%~20%；膜厚5μm~15μm固化温度450℃~480℃；1%失重温度＞560℃；具备优异的力学光学性能

PSPI

ghi线曝光；分辨率2μm~3μm；覆盖高感光度、低感光度PSPI；膜厚1μm~5μm；固化温度250℃~280℃；具备优异的光学、力学性能

TFE INK

粘度20cP~22cP；水分＜50pbm；395nmUV固化；膜厚6μm~15μm；具备优异的光学性能

BPDL

分辨率7μm；粒径100nm以内；固化温度250℃~280℃；膜厚1μm~5μm；OD（光密度）＞1/μm

无氟PSPI

ghi线曝光；分辨率2μm~3μm；覆盖高感光度、低感光度PFAS free PSPI；膜厚1μm~5μm；固化温度250℃~280℃；具备优异的光学、力学性能

PI取向液

粘度5cP~40cP；固含量3%~8%；固化温度230℃；电压保持率≥99%；硬度≥3H

PSPI

ghi线曝光；分辨率3μm；膜厚1μm~5μm；固化温度250℃~280℃；可耐多次固化且金属基底粘附性好；具备优异的光学、力学性能；

黑色Bank

分辨率10μm；固化温度150℃~250℃；膜厚3μm~8μm；OD（光密度）＞1/μm