产品详情
| 产品 | 产品介绍 | 分类 | 关键性能描述 |
| DP53XX、DP55XX、DP59XX系列 | 用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除和平坦化，具有高多晶硅去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。产品已经在存储器件量产中使用。 | 多晶硅抛光液 | 固含量4%-20%； 粒径：60-200 nm； Poly/OX移除选择比高 |
| DP54XX、DP56XX、DP58XX系列 | 用于集成电路制造工艺中多场景的氮化硅薄膜去除和平坦化，具有碟形效应修复能力强，栅极高度精准控制的优点，在逻辑器件制造中广泛应用。 | 氮化硅抛光液 | 固含量2%-20%； 粒径：50-100 nm； SiN/OX移除选择比适中 |
| ZX系列 | 用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，具有高去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。产品已经在存储器件量产中使用。 | 介电材料抛光液 | 固含量3%-20%， 粒径80-150nm， OX薄膜移除率高 |
| DP6XXX系列 | 在集成电路制造中，用于硅片表面化学机械抛光(CMP)，有去除速率高，表面缺陷率低的特点。 | 硅衬底抛光液 | 固含量2%-20%； 粒径：50-100 nm； Si移除率高； 晶圆缺陷率低 |
| DW6XXX系列 | 搭载自产氧化铝研磨粒子，用于逻辑器件制造工艺中金属钨栅极材料的去除和平坦化，具有高平坦化效率，高选择比，低缺陷率的特点，已在逻辑器件量产中使用。 | 钨栅极抛光液 | 固含量0.01%-0.3%， 粒径60-120nm，W，TiN，OX 移除率均可满足定制化需求，W/OX 移除选择比高 |
| DW3XXX、DW5XXX系列 | 用于集成电路制造工艺中金属钨材料的去除和平坦化，选择比可控，满足选择比定制需求，低缺陷率，已经在逻辑器件量产中使用。 | 钨抛光液 | 固含量1%-10%， 粒径60-100nm， W，TiN，OX 移除率均可满足定制化需求，W/OX 移除选择比适中 |
| DB系列 | 用于集成电路制造铜互连工艺中阻挡层的去除和平坦化，选择性抛光铜与阻挡层，高平整度、低缺陷，低腐蚀或碟形凹陷。 | 铜阻挡层抛光液 | 固含量5~25%， 粒径20-150nm，Cu，OX，BD，Ta，TaN，SiN等薄膜移除率可根据需求定制 |
| DC系列 | 用于集成电路制造工艺中金属铜的去除和平坦化，具有高去除速率，高稀释比，低缺陷等特点。 | 铜抛光液 | 固含量0.5%-2%，粒径30-120nm；Cu移除率高；Cu/OX移除选择比低 |
| ZA系列 | 搭载自产氧化铝研磨粒子，用于集成电路制造工艺中金属铝栅极材料的去除和平坦化修复，具有高平坦化效率，高选择比，低缺陷率的特点。产品已经在逻辑器件制造中使用。 | 铝栅极抛光液 | 固含量0.5%-2%，粒径60-120nm，Al ，TiN，OX等薄膜移除率可根据需求定制，Al/OX 移除选择比高 |
| DS系列 | 搭载自产氧化铈研磨粒子，用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，STI结构的构建中。具有高氧化硅去除速率，高平坦化效率、低碟形效应、低缺陷率的特点。 | 氧化铈抛光液 | 固含量0.5%-5%，粒径80-150nm，OX移除率可根据需求定制，OX/SiN移除选择比高 |
| DLS系列 | CMP slurry中的核心原料，金属杂质含量低，广泛用于前段工艺及高要求的金属互连工艺。具有硬度低，晶圆缺陷率低的特点。 | 超纯硅磨料 | 固含量15%-21%，粒径35-180nm；pH 6.5~8.6；各项金属杂质＜20ppb；可订制磨料颗粒所带电荷 |
| DLSB系列 | 用于集成电路制造工艺中各制程中slurry设计，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，可用作快速去除与选择比控制高的场景。 | 高纯硅磨料 | 固含量20-50%; 粒径20~150nm; pH 8~11;莫氏硬度~6 |
关键词：抛光液
上一条： 抛光垫
下一条： 清洗液
抛光液
抛光液是一种颗粒分布匀散的胶体,可使硅片表面产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光目的。通常抛光液的流速、粘度、温度、成分、pH值等都会对去除效果有影响。
相关产品
集成电路材料
CMP制程材料
半导体先进封装
半导体显示材料
OLED
-
YPI
粘度4000cP~7000cP；<br> 固含量10%~20%；<br> 膜厚5μm~15μm固化温度450℃~480℃；<br> 1%失重温度＞560℃；<br> 具备优异的力学光学性能
-
PSPI
ghi线曝光；<br> 分辨率2μm~3μm；<br> 覆盖高/低感光度PSPI；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 具备优异的光学、力学性能
-
TFE INK
粘度20cP~22cP；<br> 水分＜50ppm；<br> 395nmUV固化；<br> 膜厚6μm~15μm；<br> 具备优异的光学性能
-
BPDL
分辨率5μm；<br> 粒径50~70nm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> OD（光密度）＞1/μm
-
无氟PSPI
ghi线曝光；<br> 分辨率2μm~3μm；<br> 覆盖高/低感光度PFAS free PSPI；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 具备优异的光学、力学性能
MICRO-LED
打印复印通用耗材
在线留言
留下您想咨询的信息，我们会尽快联系您
也许您还想咨询
湖北鼎龙控股股份有限公司
友情链接：
