抛光垫

集成电路材料

CMP制程材料

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  抛光垫

  抛光垫是横跨高分子化学、高分子物理、有机合成、液体力学、摩擦学、精密加工等多学科领域的技术密集型产品。

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  抛光液

  抛光液是一种颗粒分布匀散的胶体,可使硅片表面产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光目的。通常抛光液的流速、粘度、温度、成分、pH值等都会对去除效果有影响。

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  清洗液

  主要用于去除残留在晶圆表面的微尘颗粒、有机物、无机物、金属离子、氧化物等杂质,满足集成电路制造对清洁度的极高要求,对晶圆生产的良率起到了重要的作用。

半导体先进封装

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  封装光刻胶

  ghi线曝光；<br> 分辨率5μm~10μm；<br> 覆盖高/低温固化PSPI；<br> 膜厚5μm~15μm；<br> 固化温度200℃~400℃；<br> 具备优异的电学、力学性能和Cu附着力

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  临时键合胶

  常温、低压力键合；<br> 极强的耐高温能力；<br> 300℃长期耐温＞1.5h；<br> 可机械、激光解键合（248nm/308nm/355nm）

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  晶圆级绝缘钝化层材料

  晶圆级钝化层PI/PSPI，是在晶圆级封装(WLP)工艺中应用的关键材料。通过旋涂、曝光显影形成图形化保护层。经高温固化后，为芯片表面提供优异的钝化保护和应力缓冲，有效提高器件可靠性。

高端晶圆光刻胶产品

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  晶圆光刻胶

  晶圆光刻胶是半导体光刻制程中最关键的核心材料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩小、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增加，成为延续摩尔定律的关键技之一。

半导体显示材料

OLED

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  YPI

  粘度4000cP~7000cP；<br> 固含量10%~20%；<br> 膜厚5μm~15μm固化温度450℃~480℃；<br> 1%失重温度＞560℃；<br> 具备优异的力学光学性能

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  PSPI

  ghi线曝光；<br> 分辨率2μm~3μm；<br> 覆盖高/低感光度PSPI；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 具备优异的光学、力学性能

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  TFE INK

  粘度20cP~22cP；<br> 水分＜50ppm；<br> 395nmUV固化；<br> 膜厚6μm~15μm；<br> 具备优异的光学性能

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  BPDL

  分辨率5μm；<br> 粒径50~70nm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> OD（光密度）＞1/μm

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  无氟PSPI

  ghi线曝光；<br> 分辨率2μm~3μm；<br> 覆盖高/低感光度PFAS free PSPI；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 具备优异的光学、力学性能

LCD

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  PI取向液

  粘度5cP~40cP；<br> 固含量3%~8%；<br> 固化温度230℃；<br> 电压保持率≥99%；<br> 硬度≥3H

MICRO-LED

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  PSPI

  ghi线曝光；<br> 分辨率3μm；<br> 膜厚1μm~5μm；<br> 固化温度250℃~280℃；<br> 可耐多次固化且金属基底粘附性好；<br> 具备优异的光学、力学性能；

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  黑色Bank

  分辨率10μm；<br> 固化温度150℃~250℃；<br> 膜厚3μm~8μm；<br> OD（光密度）＞1/μm

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