晶圆光刻胶

晶圆光刻胶是半导体光刻制程中最关键的核心材料。在光刻过程中，光刻胶经涂膜、前烘、曝光、后烘、显影等步骤后可将电路图形由掩模版转移到光刻胶上，再经刻蚀工艺实现电路图形转移到硅片上。随着集成电路线宽缩小、集成度的提升，光刻胶开发技术难度大幅增加，成为延续摩尔定律的关键技之一。

产品	产品介绍	关键性能描述
KrF光刻胶	KrF光刻胶是以氟化氪（KrF）激光（波长248nm）为曝光光源的光刻胶，由成膜树脂、光酸、溶剂及助剂等配制而成，具有高分辨率、耐刻蚀等优点，主要应用于0.13μm以上线宽的半导体光刻工艺。公司目前已开发的KrF光刻胶产品适用工艺包括Poly、AA、Metal、Implant、Contact Hole、Via等，应用领域包括存储，逻辑以及CIS特色工艺（高深宽比应用）。	膜厚100-5000nm，CD ≥120 nm
ArFi光刻胶	浸没式ArF光刻胶是以氟化氩（ArF）激光（波长193nm）为曝光光源的光刻胶，主要用于45nm以下集成电路制造技术节点。公司已开发的浸没式ArF 光刻胶产品包括正显影（PTD）和负显影(NTD)两类，适用工艺包括Poly、Metal、Contact Hole、Via等，应用领域涉及存储（3D NAND, DRAM）和高性能逻辑器件。	膜厚50-200nm，CD ≥37.5 nm