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产品	产品系列	产品介绍	分类	关键性能描述
抛光垫	晶圆抛光硬垫	抛光硬垫是化学机械抛光（CMP）工艺核心耗材，其通过机械摩擦与化学腐蚀协同作用，去除晶圆表面材料并实现纳米级平整度。	DH3XXX系列 DH5XXX系列 DH7XXX系列	高硬度系列产品，具备高平坦化效率、高研磨去除率和长使用寿命等优点
				中硬度系列产品，在研磨去除率、缺陷率及使用寿命等方面具备良好的均衡性
				低硬度系列产品，能有效降低缺陷率，提升产品良率
	大硅片抛光垫/晶圆抛光软垫	抛光软垫是化学机械抛光（CMP）工艺核心耗材，主要用于精抛和终道抛光；相较于硬垫，软垫具有更好的表面适应性，能减少划痕并提高光洁度。	DR90XX系列	结构为“PU+聚酯高分子膜基底”；密度0.150-0.450g/cm³；硬度4HA-45HA；具备低缺陷率，高稳定性等优点
			DR91XX系列	结构为“PU+无纺布”；密度0.200-0.600g/cm³；硬度20HA-70HA ；具备低缺陷率，长使用寿命等优点
			DR96XX系列	结构为"聚酯纤维布含浸PU的复合材料"；密度0.200-0.700g/cm³；硬度30HA-95HA；具备高研磨去除率、长使用寿命等优点
	第三代半导体抛光垫	第三代半导体抛光垫是化学机械抛光（CMP）工艺核心耗材，通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用，去除晶圆表面材料并实现纳米级平整度。由于SiC和GaN硬度高（SiC莫氏硬度达9.5），传统抛光垫难以满足需求，因此采用特殊材料和结构设计，以平衡硬度与柔韧性，减少表面缺陷。	EPXXXX系列	密度0.400~1.030g/cm³；硬度20HD-90HD；采用特殊的工艺及产品设计，实现超大尺寸抛光垫的制造满足该领域的设备需求；通过特殊微孔控制技术，实现孔径孔隙率可控，有效降低TTV（总厚度偏差）；采用闭孔设计，提升抛光垫的耐腐蚀性及产品稳定性。
	第三代半导体抛光垫		DR95XX系列	密度0.150-0.450g/cm³；硬度10HA-30HA；采用特殊的工艺及产品设计，实现超大尺寸抛光垫的制造满足该领域的设备需求；通过特殊配方设计满足低粗糙度的需求
抛光液	DP53XX、DP55XX、DP59XX系列	用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除和平坦化，具有高多晶硅去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。产品已经在存储器件量产中使用。	多晶硅抛光液	固含量4%-20%；粒径：60-200 nm；Poly/OX选择比＞10
	DP54XX、DP56XX、DP58XX系列	用于集成电路制造工艺中STI buff/ILD/SAC等制程氮化硅的去除和平坦化，具有碟形效应修复能力强，栅极高度精准控制的优点，在28nm/14nm等逻辑器件制造中广泛应用。	氮化硅抛光液	固含量2%-20%；粒径：50-100 nm；SiN/OX选择比2~5
	ZX系列	用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，具有高去除速率，高稀释比、低缺陷率的特点。产品已经在存储器件生产中量产使用。	介电材料抛光液	固含量3%-20%，粒径80-150nm，OX RR>3000A/min
	DP6XXX系列	在集成电路制造中，用于硅片表面化学机械抛光(CMP)，有去除速率高，表面缺陷率低的特点。	硅衬底抛光液	固含量2%-20%；粒径：50-100 nm；Si RR>10000A/min；defect数量小于10颗（0.160μm）
	DW6XXX系列	搭载自产氧化铝研磨粒子，用于逻辑器件制造工艺中金属钨栅极材料的去除和平坦化，具有高平坦化效率，高选择比，低缺陷率的特点。产品已经在先进制程逻辑器件生产中量产使用。	钨栅极抛光液	固含量0.01%-0.3%，粒径60-120nm，W RR 100-1500A/min，TiN RR 100-1000A/min，OX RR＜20A/min，W/OX 选择比＞50
	DW3XXX、DW5XXX系列	用于集成电路制造工艺中金属钨材料的去除和平坦化，选择比可控，满足选择比定制需求，低缺陷率，高阶或先进工艺使用。已经在逻辑器件生产中量产使用。	钨抛光液	固含量1%-10%，粒径60-100nm，W RR 50-1000A/min，TiN RR 100-2000A/min，OX RR 100-1000A/min，W/OX 选择比1-10.
	DB系列	用于集成电路制造铜互连工艺中阻挡层的去除和平坦化，选择性抛光铜与阻挡层，高平整度、低缺陷，低腐蚀或碟形凹陷。	铜阻挡层抛光液	固含量5~25%，粒径20-150nm，Cu RR 20-2000A/min；OX RR 300~2000A/min；BD RR 100-700A/min；Ta RR 100-1500A/min；TaN RR 100-3000A/min；SiN RR 100-1000A/mim（根据需求定制）
	DC系列	用于集成电路制造工艺中金属铜的去除和平坦化，具有高去除速率，高稀释比，低缺陷等特点。	铜抛光液	固含量0.5%-2%，粒径30-120nm；Cu RR 5000-20000A/min；OX RR<30A/min，高Cu/OX选择比
	ZA系列	搭载自产氧化铝研磨粒子，用于集成电路制造工艺中金属铝栅极材料的去除和平坦化修复，具有高平坦化效率，高选择比，低缺陷率的特点。产品已经在逻辑器件制造中使用。	铝栅极抛光液	固含量0.5%-2%，粒径60-120nm，Al RR 300-2500A/min，TiN RR 100-2000A/min，OX RR＜30A/min，Al/OX 选择比＞50
	DS系列	搭载自产氧化铈研磨粒子，用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，STI结构的构建中。具有高氧化硅去除速率，高平坦化效率、低碟形效应、低缺陷率的特点。	氧化铈抛光液	固含量0.5%-5%，粒径80-150nm，OX RR~100-8000A/min（根据需求定制），高OX/SiN选择比
	DLS系列	先进工艺CMP slurry中的核心原料。广泛用于前段工艺及先进制程的金属互连工艺。具有硬度低，缺陷少的特点。	超纯硅磨料	固含量15%-21%，粒径35-180nm；pH 6.5~8.6；各项金属杂质＜20ppb；可订制磨料所带正负电荷
	DLSB系列	用于集成电路制造工艺中各制程中slurry设计，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，可用作快速去除与选择比控制高的场景。	高纯硅磨料	固含量20-50%; 粒径20~150nm; pH 8~11;莫氏硬度~6
清洗液	DZ38X系列	用于集成电路制造中，金属铜后清洗的碱性配方型清洗液，应用在5-65nm技术节点，能有效去除表面颗粒、有机物及金属污染物，并兼具铜保护功能。产品已经在存储器件与逻辑器件量产中使用。	金属类化学机械抛光后清洗液	产品清洗效果优异，安全性能高，Q-time较高，不同产品对铜的腐蚀速率ER(Cu)=0.1~3Å/min。
	DZ611	用于集成电路制造中，金属铜及金属钨CMP后清洗的酸性配方型清洗液，应用覆盖成熟与先进工艺节点，能有效去除表面颗粒、有机物及金属污染物。		产品清洗效果优异，安全性能高，对铜的腐蚀速率ER(Cu)＜2Å/min。
	DZ101	用于集成电路制造中，金属钨和氮化硅CMP后清洗的配方型清洗液，在自对准工艺中的CMP后清洗工艺中具有良好的清洁表现。产品已在逻辑器件量产中使用。		产品对W、SiN、TEOS、TiN和Co等多种材料具有良好的兼容性及清洗效果
	DZ105	用于集成电路制造中，金属钨清除沾污的酸性配方型清洗液，应用在14nm-28nm技术节点，应用于抛光垫表面，旨在降低金属栅极工艺的沾污程度。		产品对W、SiN、Co、Al、Ti、TiN具有极低的腐蚀速率及良好的清洗效果
	DZ4XX系列	用于集成电路制造中，金属钨CMP后清洗的弱酸型清洗液，主要用于14 nm及以下 WMG的清洗。产品已在逻辑器件量产中使用。		产品在W和TEOS表面拥有很好的清洗性能，同时对W、SiN、TEOS、TiN以及Co拥有良好的材料兼容性。
	DZ6XX系列	用于集成电路制造中，金属铝CMP后清洗的酸性清洗液，主要应用在28nm技术节点，具有良好的清洁表现及极低的缺陷率。产品已在逻辑器件量产中使用。		产品清洗效果优异，与Al、TEOS等多种材料兼容性佳，对铝的腐蚀速率较低ER(Al)＜1Å/min。
	DZ1XX系列	用于集成电路制造中，多晶硅和氮化硅 CMP后清洗的配方型清洗液，应用于抛光垫表面，能有效去除表面颗粒污染物。产品已在逻辑器件量产中使用。	非金属类化学机械抛光后清洗液	产品兼容Poly-Si、SiN和TEOS，可以适用于STI、ILD、ILD0以及Poly等制程的辅助清洗